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室溫鐵磁性半導(dǎo)體找到新獲得途徑
責(zé)編:李曉燕 發(fā)布時(shí)間:2021-10-12 18:33:01 瀏覽次數(shù):

   如何獲得室溫鐵磁性半導(dǎo)體,是量子計(jì)算、高頻器件、高密度信息存儲(chǔ)的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。國(guó)際權(quán)威期刊《Nano Today》近日刊文顯示,鄭州大學(xué)許群教授課題組利用CO2在非范德華力晶體孔道內(nèi)構(gòu)建強(qiáng)內(nèi)應(yīng)力場(chǎng),成功制備出具有室溫響應(yīng)的二維鐵磁性VO2。許群介紹,面對(duì)更先進(jìn)的信息技術(shù)需求,在更高集成度、更高快速響應(yīng)、更低功耗等方面對(duì)電子器件有更高的要求。二維鐵磁材料由于其少層原子層厚度和可控的電子自旋,已成為下一代自旋電子器件的研究熱點(diǎn)。

 

   他說(shuō),現(xiàn)有非磁性二維材料中誘導(dǎo)磁矩是通過(guò)調(diào)節(jié)應(yīng)變、邊緣結(jié)構(gòu)或缺陷工程來(lái)引入電荷載流子,這些都集中在外部誘導(dǎo)磁響應(yīng)上,如何突破傳統(tǒng)制備模式并深刻理解二維鐵磁材料的本征特性極具重要意義。
 
   過(guò)渡金屬氧化物VO2表現(xiàn)出許多新的物理現(xiàn)象,如金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變和室溫鐵磁性。在強(qiáng)相關(guān)過(guò)渡金屬氧化物(TMOs)材料中,d層和f層電子其自由度(自旋、電荷和軌道矩)的相互作用使得結(jié)構(gòu)和磁性對(duì)溫度、壓力和組分等參數(shù)的微小變化非常敏感,然而多數(shù)情況,來(lái)自外部誘導(dǎo)的局部磁矩非常弱,并且產(chǎn)生的磁性通常只關(guān)聯(lián)表面少數(shù)原子。因此相較于缺陷工程,如何打破序參量的對(duì)稱性,在材料中創(chuàng)造新的表面或誘導(dǎo)晶體到無(wú)定形的轉(zhuǎn)變,進(jìn)而產(chǎn)生本征磁各向異性,是一個(gè)有效的路徑。
 
   許群教授課題組提出一種CO2誘導(dǎo)相變工程策略,將非范德華體相VO2成功轉(zhuǎn)化為室溫響應(yīng)的2D鐵磁體。引入的CO2不僅可以引發(fā)材料表界面相變,還可以在VO2的晶格孔道中產(chǎn)生強(qiáng)大的內(nèi)力場(chǎng),由此導(dǎo)致的共價(jià)鍵選擇性斷裂,將三維VO2晶體轉(zhuǎn)化為二維納米片,最終獲得“鎖定”的亞穩(wěn)相的2D拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并表現(xiàn)出顯著增強(qiáng)的室溫鐵磁響應(yīng)。該研究工作為二維非范德華鐵磁體的制備開(kāi)辟了一條新途徑,同時(shí)對(duì)CO2在晶體孔道中產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力及其關(guān)聯(lián)亞穩(wěn)相產(chǎn)生的機(jī)理進(jìn)行了探討,為進(jìn)一步拓展超臨界CO2在構(gòu)筑新型納微結(jié)構(gòu)上的應(yīng)用奠定了實(shí)驗(yàn)和理論基礎(chǔ)。該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、鄭州大學(xué)一流學(xué)科計(jì)劃等項(xiàng)目的支持。
                                                                                                                                 (來(lái)源:科技日?qǐng)?bào))